關(guān)于征集2023年度珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)專項指南建議的通知

各有關(guān)單位:

為貫徹落實黨的二十大和習近平總書記關(guān)于加強關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)的系列重要講話精神,落實《珠海市大力支持集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的意見》和《關(guān)于促進珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的若干政策措施》的有關(guān)要求,以我市集成電路產(chǎn)業(yè)企業(yè)戰(zhàn)略需求為牽引,強化珠海集成電路強鏈補鏈支撐作用,促進產(chǎn)業(yè)鏈快速穩(wěn)健發(fā)展。按照我市科技創(chuàng)新工作部署,現(xiàn)面向全市集成電路領(lǐng)域各有關(guān)單位征集2023年度珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)專項指南建議,具體通知如下:

 一、專項重點任務

  (一)集成電路設計:消費級、工業(yè)級、車規(guī)級、軍工級的通信關(guān)鍵芯片、通用數(shù)字/模擬芯片(存儲器、高性能處理器、數(shù)模/模數(shù)轉(zhuǎn)化器)、高性能專用集成電路、FPGA等。

 ?。ǘ┲圃旃に嚺c關(guān)鍵元器件:半導體襯底與外延片(8/12英寸高質(zhì)量硅襯底、氮化鎵/氮化鋁、碳化硅、砷化鎵/磷化銦/銻化鎵、氧化鎵、金剛石等)、工藝與器件(FinFET、FDSOI、GAA、IGBT、MEMS、后摩爾時代工藝與器件關(guān)鍵技術(shù)、新型光電子器件、傳感器、氮化鎵或砷化鎵高頻(微波、毫米波、太赫茲)器件、氮化鎵或碳化硅電力電子器件等)。

 ?。ㄈ〦DA:EDA工具、自主可控IP核。

 ?。ㄋ模┎牧希?/strong>關(guān)鍵制造工藝材料(電子化學品、電子特氣)、封裝材料(燒結(jié)銀、封裝基板、陶瓷或金屬或塑料封裝管殼)等。

 ?。ㄎ澹┭b備:材料制備設備、工藝設備、封裝設備、測試設備。

二、征集要求

(一)每家單位可提出1-2項指南建議,本次征集指南建議作為編制2023年度珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)專項申報指南的主要參考依據(jù)。

(二)項目提出單位應為我市具有獨立法人資格的企業(yè)、科研機構(gòu)等單位,具有水平較高的研發(fā)團隊或在行業(yè)具有較大影響力的領(lǐng)軍人才,并具備根據(jù)所提需求組織項目實施的良好的生產(chǎn)、研發(fā)和管理等能力。

(三)項目組織實施形式多樣,可采取需求單位自行組織實施、通過政府發(fā)布需求向社會公開招標聯(lián)合組織實施等方式。

 三、征集流程

(一)請各項目單位首先填寫《2023年度珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)專項指南建議表》(以下簡稱《指南建議表》,詳見附件1),于2023年4月17日(星期一)18:00前,將表格發(fā)送至電子郵箱(zhkcjgxk@163.com),郵件標題及表格文件名稱統(tǒng)一為“2023集成電路指南建議表-xxx企業(yè)名稱-xxx 項目名稱”。

(二)為便于項目征集匯總分析,請各項目單位同步登錄網(wǎng)址(https://f.wps.cn/g/lKbzCmcu/?)或通過微信掃描以下二維碼填報指南建議表,填寫的內(nèi)容務必與上述已填《指南建議表》內(nèi)容一致。

關(guān)于征集2023年度珠海市集成電路產(chǎn)業(yè)關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)專項指南建議的通知-2023年高新技術(shù)企業(yè)認定條件_高新補貼_申請流程_高企政策-賽凡科技-第1張

(三)請各項目單位通過QQ 群(群號:790486760)或掃描以下二維碼加入QQ 工作群(入群信息驗證:2023集成電路),以便溝通聯(lián)系及時反饋項目填報工作情況。

 四、聯(lián)系方式

聯(lián)系人:羅俊杰,譚韜;電話:2213091,2229807。

 

附件1:指南征集意見表.xlsx

珠海市科技創(chuàng)新局

  2023年4月7日

高新企業(yè)認定補貼